![Sigma-Aldrich Tetrakis[ethyl(methyl)amino]silane，TEMAS，≥99.99%痕量金属（基于）](/img/sigma/110775-1.webp)
| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 946818-10G | 10 g | |
| 946818-50G | 50 g |
四（乙基甲氨基）硅烷（TEMAS）是一种含硅前体，广泛用于半导体制造的化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）工艺。其化学结构中，硅原子连接乙基甲氨基团，具有良好的挥发性、热稳定性和反应性，使其适合沉积高质量的氮化硅（Si₃N₄）和二氧化硅（SiO₂）薄膜。PMID 35395668 PMID 34824660
四羟（乙基甲基氨基）硅烷（TEMAS）适用于：薄膜的精确均匀生长，具有优异的保形性，对先进的微电子器件至关重要，包括晶体管、存储器、传感器和3D集成电路。在相对较低的温度下沉积介电层、钝化膜和阻挡涂层，这有助于减少热预算并与精密器件结构集成。高纯度和低杂质掺入，具有可靠的半导体性能所必需的上级电气和机械性能的支撑膜。用于等离子体增强和热ALD/CVD工艺，以提供原子-在复杂的3D器件结构上实现水平厚度控制和高薄膜质量。实现下一代半导体器件的制造，如FinFET，全包围栅极（GAA）晶体管，总的来说，TEMAS是半导体工业中高精度硅基薄膜沉积的关键先驱，支持器件缩放、性能增强我们的Tetrakis（乙基甲基氨基）硅烷（TEMAS）具有≥99.99%的微量金属含量，特别适合于先进的半导体制造应用，如氮化硅的化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）（Si 3 N4）、氧化硅（SiO2）和相关的含硅薄膜。
卓越的纯度（≥99.99%痕量金属基准）提供了高化学纯度和热稳定性，对于生产符合严格半导体器件性能和可靠性要求的无污染薄膜至关重要。纯度水平（≥99.99%）可将痕量金属污染降至最低，有助于减少缺陷并增强关键介电层和钝化层的电性能。我们的TEMAS兼容低温工艺，可支持对高温烘烤敏感的器件层，使其能够集成到先进的晶体管、存储器和传感器制造中。
| 英文名称 | Tetrakis[ethyl(methyl)amino]silane |
| CAS 号 | 477284-75-6 |
| 经验分子式 | C12H32N4Si |
| 分子量 | 260.49 |
| UNSPSC | 12352103 |
| MDL 号 | MFCD05663777 |
| SMILES字符串 | N(C)(CC)[Si](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC |
| InChI | 1S/C12H32N4Si/c1-9-13(5)17(14(6)10-2,15(7)11-3)16(8)12-4/h9-12H2,1-8H3 |
| 含量测定 | ≥98%（qNMR）；≥99.99% 微量金属基准 |
| 形态 | 液体 |
| 杂质 | <100 ppm 微量金属基准 |
| 颜色 | 无色到几乎无色，清澈液体 |
| 密度 | 0.89 克/毫升 |
| 阳离子痕量 | （32个元素） |
| 应用 | 半导体（ ） |
| 储存温度 | 2-8°C |
| 质量等级 | 200 |
| 包装规格（货号 946818-10G） | — |
| 包装规格（货号 946818-50G） | — |
