Sigma-Aldrich Bis(ethylmethylamino)silane，BEMAS，≥99.99%痕量金属（以痕量金属计）

产品概述

双（乙基甲基氨基）硅烷（BEMAS）是一种有机硅化合物，外观为透明液体，主要用作原子层沉积（ALD）前体。它是一种高纯度硅前体，广泛用于先进半导体和材料应用。我们的BIS（乙基甲基氨基）硅烷（BEMAS），基于痕量金属，纯度≥99.99% Si，主要用作原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）等先进薄膜沉积技术的化学前体。其主要应用包括氮化硅（SiN）和氧化硅（SiO2）薄膜的沉积，BEMAS是半导体和电子工业中制造功能性和保护性涂层的关键。BEMAS能够精确控制薄膜性能，如疏水性和附着力，因此对电子和光电薄膜非常有价值。

应用领域

双（乙基甲基氨基）硅烷或BEMAS可以用作用于低温Si薄膜沉积的ALD/CVD前体。例如，SiO2的低温原子层沉积（ALD）对于半导体器件是重要的，但在高深宽比结构中具有挑战性。发现使用双（乙基甲基氨基）硅烷或BEMAS可以作为用于低温Si薄膜沉积的ALD/CVD前体。（乙基-甲基氨基）硅烷作为前体能够实现2D和3D结构上的精确厚度控制和全表面覆盖，即使在200：此外，开发了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺以生长具有改进的阻挡性能的高度共形的碳掺杂氮化硅（SiCN）膜，其特征在于可调节的碳含量、介电常数和介电常数。（k值）和使用Bis的前体的湿蚀刻速率（WER）。（乙基甲基氨基）硅烷或BEMAS。双研究了二乙氨基硅烷作为低温原子层沉积（ALD）的液相硅前驱体硅化铪薄膜。（乙基甲基氨基）硅烷或BEMAS适用于硅基薄膜的ALD和CVD工艺，温度通常在250-350 °C左右。生产具有稳定生长速率和良好电性能的高质量氧化硅薄膜。由于其化学结构和挥发性，BEMAS非常适合这些角色，满足先进半导体制造和材料研究部门对高纯度和微量金属的要求

产品特点

1.（≥99.99%微量金属）确保了先进半导体应用中一致、无缺陷的薄膜生长。2.最大限度地减少了与污染相关的缺陷，提高了电气性能和器件寿命。3.与敏感的低温ALD工艺兼容，用于下一代器件的薄膜沉积。

技术规格