Sigma-Aldrich Bis(t-butylamino)silane, BTBAS，≥99.99%痕量金属基准

产品概述

Bis(t-butylamino)silane (BTBAS) is a high-purity silicon precursor widely used in advanced semiconductor and materials applications for chemical vapor deposition (CVD) processes.BTBAS is favored for its ability to deposit uniform, high-quality films at relatively lower temperatures (around 500–750 °C) compared to some other silicon precursors, reducing contamination from carbon and chlorine.It enables controlled hydrolysis and polymerization during deposition, important for high-quality barrier or dielectric layer formation.

应用领域

双（叔丁基氨基）硅烷（BTBAS）主要用于低压化学气相沉积（LPCVD）以存款氮化硅（Si 3 N4）薄膜作为MOS晶体管和其它半导体器件中的侧壁隔离层。这种工艺在相对较低的温度（~600 °C）下进行，BTBAS的高纯度和高挥发性可提供均匀的薄膜，良好的阶梯覆盖率和低颗粒污染，提高了半导体工厂的生产能力和产量。例如：Bis（叔丁基氨基）硅烷（BTBAS）可实现均匀、超薄含硅薄膜的可控生长，这在微电子和纳米级器件制造中至关重要。氮化硅（SiNx）薄膜可通过使用BTBAS结合N等离子体的ALD沉积。这些薄膜在以下方面发挥着关键作用：先进晶体管中的栅极间隔层，确保器件的可靠性和性能。（叔丁基氨基）硅烷（BTBAS）被用作有机和光电子器件如OLED、光伏电池和场效应晶体管（FET）的湿气渗透阻挡层，其稳定性和寿命显著提高，也可用于通过低温等离子体生长高质量的SiO2薄膜。在一个工艺中，使用CO2和Bis在90 °C下成功地沉积了SiO2薄膜，该工艺使用的氧化剂与对湿气和氧敏感的材料相容。（叔丁基氨基）硅烷（BTBAS）作为前驱体，除氮化硅外，BTBAS还可用于沉积氧化硅薄膜，这些薄膜对逻辑、存储器（DRAM、NAND、3D NAND）、传感器（MEMS、光电子）等高科技电子制造业。其化学性质可控制薄膜生长，碳和氯残留量低，提高器件可靠性。我们的Bis（叔丁基氨基）硅烷（BTBAS），≥99.99%痕量金属（以痕量金属计）（99.99%-Si）是一种高纯度的硅前驱体，专门为先进的半导体制造应用而配制。其高纯度确保了最小的污染，这对于在微电子学中获得无缺陷的薄膜是关键的。

产品特点

我们的BTBAS提供：高纯度（≥99.99% Si），适用于关键的半导体级应用。在CVD/LPCVD系统中实现一致且高效的输送。能够在较低的温度下沉积氮化硅和氧化硅薄膜。通过优化的工艺，减少颗粒污染并延长设备正常运行时间。

其他说明

手套箱下无金属接触和手柄

技术规格