Sigma-Aldrich 三（二甲氨基）硅烷，3DMAs

产品概述

Tris（二甲氨基）硅烷（3DMAS）是一种广泛用于先进半导体制造工艺，特别是硅基薄膜的化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）中的含硅化学前驱体，它具有优异的挥发性、热稳定性和高纯度。使其适合于沉积氮化硅（Si 3 N4）和氧化硅（SiO2）薄膜。（二甲基氨基）硅烷（3DMAS）在尖端半导体器件制造中作为制造高质量含硅介电膜的关键前体，支持增强的性能和可靠性。我们的三（二甲氨基）硅烷，3DMAS，≥99.99%痕量金属基适合上述应用。

应用领域

Tris（二甲基氨基）硅烷（3DMAS）由于其高挥发性、热稳定性和高纯度而被广泛用作半导体和薄膜沉积应用中的硅前体。其主要应用包括含硅薄膜（例如氮化硅）的化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）。（Si 3 N4）和氧化硅（SiO2），它们在半导体器件中作为介电层、钝化涂层和阻挡膜至关重要。用于需要精确控制膜厚和成分的低温沉积工艺用于集成电路、存储器件、半导体器件（包括3D NAND）和传感器，其中高薄膜质量和低杂质水平是必不可少的。总体而言，3DMAS平衡了良好的挥发性，热稳定性，在需要在相对低温下生长保形、高纯度SiO2和Si 3 N4薄膜的应用中表现优异，同时与氯硅烷和体积较大的氨基硅烷替代品相比，腐蚀和污染问题较少。其光学透明性和与ALD的兼容性使其有利于先进的微电子和光学薄膜应用

产品特点

（≥99.99%微量金属）确保了先进半导体应用中一致、无缺陷的薄膜生长。最大限度地减少了与污染相关的缺陷，提高了电气性能和器件寿命。与敏感的低温ALD/CVD工艺兼容，用于下一代器件的薄膜沉积。

技术规格