西格玛 Sigma-Aldrich 双(2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸)镍(II)，≥99.9% 微量金属基准

产品概述

二镍（II）（2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮）（Ni（TMHD））是一种高纯度的金属有机配合物，广泛用作化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）等薄膜沉积工艺的前驱体。我们提供≥99.9%的微量金属，这种化合物确保最小的污染，使其成为要求苛刻的半导体，电子，和催化应用。其优异的挥发性和热稳定性支持氧化镍和相关材料在各种基底上一致和均匀的薄膜生长。Ni（TMHD）TiO 2是追求先进材料合成和功能涂层的研究人员和制造商的首选。其低痕量金属杂质分布支持半导体，光学，研究环境。

应用领域

二镍（II）（2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸）（Ni（TMHD））是一种多用途的β-二酮金属有机前体，广泛用于原子层沉积（ALD）和相关的气相工艺，以形成含镍薄膜。Ni（TMHD）具有合适的挥发性和热稳定性，可用于自限制的逐层生长。能够精确控制先进器件结构的薄膜成分和厚度。例如，在ALD中，Ni（TMHD）可以与适当的共反应物结合使用（氧化剂、硫源或有机连接剂）沉积氧化镍、硫化镍和镍-有机杂化物或类MOF薄膜，这些薄膜可作为p-型半导体、电化学和电催化层进行研究，以及微电子和能源器件中的功能性涂层，这些Ni基薄膜可用于透明和柔性电子器件、电阻开关存储器、电致变色和传感器结构，和储存技术中的催化剂或电荷传输层。此外，镍（II）双（2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸）（Ni（TMHD））是一种适用于有机物转化的催化剂，例如，它可用作1，3-二烯的硅氢化催化剂。它还与钯一起用作两种苯酚衍生物之间的还原性交叉偶联反应的催化剂。

产品特点

[1] Minimizes incorporation of foreign metal ions that can act as deep traps, scattering centers, or parasitic dopants, leading to improved electrical properties and lower leakage in NiO, NiS, or Ni metal films
[2] Enables more reproducible material properties (resistivity, band gap, dielectric response, catalytic activity), which is critical for process transfer and device reliability in integrated circuits, memory, and sensor structures
[3] Reduces impurity‑driven side reactions during ALD/CVD, supporting cleaner surface chemistry, better self‑limiting growth behavior, and smoother, more conformal films on high‑aspect‑ratio structures

技术规格