Sigma-Aldrich Hexakis(ethylamino)disilane，≥99.99%痕量金属基准

产品概述

海克基斯（乙氨基）乙硅烷是一种无色液体有机硅化合物。其特征在于硅烷主链具有多个乙氨基，有助于其作为化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）中的前体的高反应性和适用性。该化合物主要用于薄膜沉积应用，包括半导体制造和材料科学。2它具有优良的热稳定性和气相输送性能，使其对于沉积具有受控性质的硅基薄膜很有价值。我们的≥99.99%痕量金属基准，六角（乙氨基）乙硅烷支持要求精确薄膜质量和低污染的先进制造技术。（乙基氨基）乙硅烷满足包括在先进微电子器件上沉积硅基薄膜的各种高价值半导体制造应用所需的纯度和性能标准。

应用领域

海克斯基斯乙氨基乙硅烷（也称为AHEAD）是一种非常有前途的硅前体，用于氧化硅薄膜的原子层沉积（ALD）。当在150至300 °C之间的温度下使用臭氧作为氧源时，它表现出约1 μ m/周期的高ALD生长速率。与需要高温的化学气相沉积（CVD）或热氧化等传统方法不同，这种前体能够实现精确的低温沉积，是半导体应用的理想选择。它在ALD中的使用提供了出色的厚度控制、均匀性和保形性，使其适用于氧化硅是关键介电材料的先进微电子技术。这使得六方晶系（乙氨基）乙硅烷是下一代氧化硅薄膜制造的强有力的候选者。此外，通过原子层沉积（ALD）在300 °C下使用五乙醇铌、六氧化二铌、六（乙基氨基）乙硅烷，膜厚范围从13到130 nm。PMID 31978899我们的新Hexakis具有>99.99%痕量金属基础的（乙氨基）乙硅烷是先进半导体和薄膜应用的理想选择，因为其超高纯度最大限度地减少了可能导致缺陷和降低薄膜质量的污染。这种高纯度确保了一致的ALD生长速率、优异的薄膜均匀性和可靠的厚度控制。它支持敏感微电子所需的低温沉积工艺，提高了介电性能和器件性能。此外，低金属杂质含量可防止不必要的掺杂和电退化，使其成为下一代半导体制造中精密氧化硅和硅基纳米层压薄膜的理想材料。这种超纯材料还符合高可靠性电子器件的严格工业标准。

产品特点

1.（≥99.99%微量金属）确保了先进半导体应用中一致、无缺陷的薄膜生长。2.最大限度地减少了与污染相关的缺陷，提高了电气性能和器件寿命。3.与敏感的低温ALD工艺兼容，用于下一代器件的薄膜沉积。

技术规格