Sigma-Aldrich D型铝蚀刻剂

产品概述

铝蚀刻剂-D型标准铝蚀刻剂，用于砷化镓、砷化物和磷化镓器件以及镍铬电阻器上的铝金属化铝蚀刻剂是稳定、无毒的制剂，用于蚀刻硅器件和集成电路应用中的铝金属化。铝接触被定义，并形成互连。这些铝蚀刻剂具有独特的性能，容易地克服了铝蚀刻工艺中经历的许多困难。光刻技术是半导体和微电子技术的基础。2铝蚀刻剂与商用光刻胶高度兼容，并允许描绘成高分辨率图案。3金属线宽为1密耳，间距小于5微米是可行的。高分辨率对于这些铝蚀刻剂是实用的，因为不发生光刻胶图案的提升并且底切被最小化。氮化硅或镍铬电阻膜。提供两种用于微电子的铝蚀刻剂。A型推荐用于硅器件。D型推荐用于砷化镓和磷化镓器件，以避免腐蚀剂对金属间化合物的腐蚀。也推荐用于腐蚀镍铬合金薄膜电阻上的铝金属化。

应用领域

在硅片上真空沉积厚度达25，000 Å的铝金属层，涂上光刻胶，用合适的光掩模进行紫外线曝光。光刻胶显影后保护需要互连的铝层。然后用铝蚀刻剂蚀刻掉未保护的铝层。然后用水冲洗。蚀刻时间取决于蚀刻剂温度和铝膜厚度。当蚀刻厚铝膜时，需要更高的蚀刻速率;因此，应使用较高的蚀刻温度。同样，对于较薄的铝膜，需要较慢的蚀刻速率，应选择较低的蚀刻温度。在特定的蚀刻温度下，蚀刻时间由以下公式给出：蚀刻时间（秒）+薄膜厚度（Å）/蚀刻速率（Å/sec）其中蚀刻速率在25°C时为30 Å/sec;在40°C时为80 Å/sec。

产品特点

控制蚀刻速率选择性蚀刻：不会侵蚀SiO2或Si 3 N4提供高分辨率，最大限度减少底切消除污垢形成经济;可重复使用

技术规格