Sigma-Aldrich 改良HF缓冲液

产品概述

改进的HF缓冲系统，具有稳定的HF活性-用于平面钝化器件的半导体技术中的SiO2的选择性溶剂-晶体管，集成电路，二极管，整流器，SCR，MOS，FET优点：即用型-经济型HF活性缓冲液稳定出色的工艺再现性不会底切掩蔽氧化物不会污染扩散硅表面避免硅表面污染光刻胶涂层不受影响是一种理想化的缓冲制剂，其特征在于高缓冲指数和优化的，改进后的缓冲液HF的组成由HF活度和pH值精确控制，对于两配体单核配合物，其质量平衡基本上为（HF）+（F）+ 2（HF 2），电荷平衡为（H +）-（F）+（HF 2-）通过调节氟化物、二氟化物和HF缓冲液组分之间的平衡反应的特定平衡常数，HF活性保持恒定。第二平衡常数参与调节pH值中的水合氢离子浓度。制备和分析改进的缓冲液HF，使其基本上不含杂质。硝酸根离子，一种常见的杂质，会导致器件特性退化的重金属杂质在制造工艺规范下受到严格控制。

应用领域

改进了缓冲液HF的使用：缓冲液HF改善溶解二氧化硅薄膜在硅表面上产生并通过光刻曝光的（热生长和硅烷SiO2）。它也能够溶解掺杂的二氧化硅膜，如在半导体加工中形成的磷硅和硼硅玻璃。总的化学反应是：4 HF + SiO2 SiF 4 + 2 H2 O故障排除-在半导体平面器件和梅萨器件的新工艺中，推荐使用改进的自由工作缓冲液HF。它与负性和正性光刻胶兼容。很容易获得良好的再现性，而不会削弱标记的氧化物、表面污染或由金属杂质引起的器件退化。

制备/使用说明

使用说明：最实用的氧化物钝化层的厚度范围为2000 μ m至5000 μ m，在室温下暴露于改进的缓冲液HF中2至5分钟可获得良好的结果。如果需要，暴露时间可缩短或延长。改进的缓冲液HF应用去离子水冲洗。改进的缓冲液HF的高缓冲指数允许在固定的暴露时间内重复使用缓冲液。为了获得更快的蚀刻速率（约2X），使用在35 °C下改进的Buffer HF。

技术规格