Sigma-Aldrich A型铝蚀刻剂

产品概述

铝附件-A 型
适用于硅器件和其他微电子应用的标准铝蚀刻剂。铝蚀刻剂是稳定、无毒的制剂，用于蚀刻硅器件和集成电路应用中的铝金属化层。定义了铝触点，并形成了互连。这些具有独特性能的铝蚀刻剂可以轻松克服在铝蚀刻过程中的许多困难。利用光刻技术对铝进行金属化和蚀刻是半导体和微电子技术的基础。铝蚀刻剂与市售的光致抗蚀剂高度相容，并可以形成高分辨率的图案。金属线宽为 1 mil，间距小于 5 微米是可行的。这些铝蚀刻剂可以实现高分辨率，因为不会发生光刻胶图案的剥离，并且底切极小。此外，蚀刻剂不会侵蚀硅、二氧化硅、氮化硅或镍铬合金电阻器膜。 提供了两种铝蚀刻剂用于微电子学。建议将 A 型用于硅器件。建议将 D 型用于砷化镓和磷化镓器件上，以免腐蚀剂腐蚀金属间化合物。还建议在镍铬合金薄膜电阻器上蚀刻铝金属层。

应用领域

将高达 25,000Å 的铝金属镀层真空沉积在硅片上，涂上光致抗蚀剂，然后使用适当的光掩膜对其进行 UV 曝光。该抗蚀剂是开发来保护需要互联的铝。然后，用铝蚀刻剂蚀刻去除铝的未保护区域，然后用水冲洗。蚀刻时间取决于蚀刻剂温度和铝膜厚度。当蚀刻较厚的铝膜时，需要较高的蚀刻速率；因此应采用更高的蚀刻剂温度。同样，对于较薄的铝膜，需要较低的蚀刻速率，则应该选择较低的蚀刻剂温度。在特定的蚀刻剂温度下，蚀刻时间由以下公式给出： 蚀刻时间（秒）+膜厚（Å）/蚀刻速率（Å/秒）
在 25°C 下蚀刻速率为 30Å/秒；在 40°C 下 80Å/秒

产品特点

受控蚀刻速率选择性蚀刻：​​不会腐蚀 SiO₂ 或 Si₃N₄提供高分辨率，底切最小消除黑粉病的形成经济性；可重复使用

技术规格