| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 215066-10G | 10 g | |
| 215066-50G | 50 g |
氧化镓（III）（Ga2O3）是一种宽带隙半导体，属于透明半导体氧化物（TSO）家族。它可以形成不同的多晶型，如α-、β-、γ-、δ- 和 ε-。多晶和纳米晶 Ga2O3 可以使用多种方法制备，如化学气相沉积、热蒸发和升华、分子束外延、熔体生长等。它被广泛用作各种应用的功能材料，包括光电子、化学传感器、催化、半导体器件、场效应晶体管等。
用于制备 Sr2CuGaO3S 的起始材料，这是一种罕见的方形金字塔镓的例子。PMID 11670044
Ga2O3 被广泛用作制造电致发光器件的主体材料。例如，可以使用掺杂铕的 Ga2O3 薄膜作为发光层来制造光学透明的电致发光器件。
由于其独特的光学和电学特性，如中等电导率和高激光损伤阈值，Ga2O3 可用于激光驱动的电子加速器、低损耗等离子体和硅基电介质激光加速器。
它也可以用作丙烷脱氢制丙烯的有效催化剂。
| 英文名称 | Gallium(III) oxide |
| CAS 号 | 12024-21-4 |
| 经验分子式 | Ga2O3 |
| 分子量 | 187.44 |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 12352303 |
| EC 号 | 234-691-7 |
| MDL 号 | MFCD00011020 |
| 形态 | 粉末 |
| InChI key | QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N |
| InChI | 1S/2Ga.3O |
| SMILES字符串 | O=[Ga]O[Ga]=O |
| 含量测定 | ≥ 99.99%痕量金属基准 |
| 质量等级 | 100 |
| 成分 | 加苏奥 |
| 反应适用性 | 试剂类型：催化剂核心：镓 |
| 密度 | 5.88 g/mL（25 ° C） |
| 应用 | 晶体生长 |
| 包装规格（货号 215066-10G） | 10 g |
| 包装规格（货号 215066-50G） | 50 g |
