| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 553131-5G | 5 g |
四羟（乙甲氨基）锆（TEMAZ或TEMAZr）是一种无色、热稳定的有机锆MOCVD化合物，溶于石油醚、二氯甲烷等非极性溶剂，但不溶于水。TEMAZ广泛用作半导体制造中的锆前驱体。我们提供的以微量金属计纯度≥99.99%，保证ppb级微量金属杂质，使其适用于高质量的薄膜。
四羟（乙基甲基氨基）锆（IV）在原子层沉积（ALD）中用作锆前体，在阴极活性材料上形成ZrO_2纳米涂层，增强固态电池应用中的界面稳定性和电化学性能。作为低温溶液处理中的有机金属前体，合成硫属元素化物钙钛矿薄膜，促进无碳，用于光电子应用的无氧BaZrS薄膜。作为等离子体增强原子层沉积中的前体，用于制造高质量的含ZrO_2的Hf_xZr_xO_xO_xO_xO薄膜，用于先进的铁电存储器件应用。我们还提供10 g数量的相同材料，包装在不锈钢圆筒（725528）中。
高纯度（≥99.99%痕量金属）前体，防止杂质影响薄膜性能。分析ppb级的32+元素，确保在半导体应用中形成均匀薄膜的适用性。
| 英文名称 | Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV) |
| CAS 号 | 175923-04-3 |
| 线性分子式 | Zr（NCH3C2H5）4 |
| 经验分子式 | C12H32N4Zr |
| 分子量 | 323.63 |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 12352103 |
| MDL 号 | MFCD03427131 |
| InChI key | SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N |
| SMILES字符串 | CCN(C)[Zr](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC |
| InChI | 1S/4C3H8N.Zr/c4 * 1 - 3 - 4 - 2;/h4 * 3H2，1 - 2H3;/q4 *-1;+4 |
| 含量测定 | ≥ 99.99%痕量金属基准 |
| 质量等级 | 200 |
| 反应适用性 | 核心：锆 |
| 沸点 | 81 °C/0.1 mmHg（亮） |
| 密度 | 1.049 g/mL，25 °C（lit.） |
| 包装规格（货号 553131-5G） | 5 g |
