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Sigma-Aldrich 四(乙基甲基胺基)铪(IV),≥99.99%痕量金属基准

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Sigma-Aldrich 四(乙基甲基胺基)铪(IV),≥99.99%痕量金属基准

Sigma-Aldrich Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV),≥99.99% trace metals basis
SIGMA-ALDRICH授权代理沉积前驱体
CAS 号 352535-01-4品牌 Sigma-Aldrich类目 实验室试剂 / 沉积前驱体更新日期 2026-10-26

规格与货号

货号包装规格操作
553123-5ML5 mL
553123-25ML25 mL

产品概述

四双(乙基甲基氨)铪(IV)(TEMAH)是一种对水和空气敏感的无色液体。它在 -50 °C 结冰,在 0.1 托下,在 78 °C左右沸腾。

应用领域

TEMAH 被用作氧化铪(HfO2)薄膜的原子层沉积(ALD)的前体。因为 HfO2 具有 16-25 的高介电常数,所以它通常用作半导体制造中的介电膜。

TEMAH 由于其低沸点以及与水和臭氧的反应性,是 ALD 的理想选择。最重要的是,它在包括玻璃、氧化铟锡(ITO)和硅(100)在内的许多基板上的吸附是自限制的。研究人员还用它在 MoS2等二维材料上沉积 HfO2薄膜。PMID 23683268

PMID 23683268
TEMAH 也是在MoS2光电晶体管上合成铁电铪-氧化锆和Hf1-xZrxO2薄膜的有用前体。PMID 31900395研究人员还通过 ALD 交替脉冲 TEMAH 和氨沉积了氮化铪(Hf3N4)薄膜。

产品特点

热稳定性。它具有足够的挥发性,适合用于气相沉积。完全自我限制的表面反应。

技术规格

英文名称Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV)
CAS 号352535-01-4
线性分子式[(CH3)(C2H5)N]4Hf
经验分子式C12H32HfN4
分子量410.90
NACRESNA.23
UNSPSC12352103
MDL 号MFCD03427130
InChI1S/4C3H8N. Hf/c4 * 1 - 3 - 4 - 2;/h4 * 3H2,1 - 2H3;/q4 *-1;+4
SMILES字符串CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC
InChI keyNPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N
含量测定≥ 99.99%痕量金属基准
质量等级200
反应适用性核心:铪
杂质纯度不包括约2000 ppm锆
沸点78 °C/0.01 mmHg(亮)
熔点 <-50 °C
密度1.324 g/mL,25 °C(lit.)
包装规格(货号 553123-5ML)5 mL
包装规格(货号 553123-25ML)25 mL

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