| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 651494-1EA | 1 ea |
未掺杂的（N 型半导体），载流子浓度 = 2-6×1016cm-3，蚀坑密度 5cm-2，生长技术为液封直拉法
热膨胀：5.3×10-6/°C
立方晶系 (a = 5.4505Å)
| 英文名称 | Gallium phosphide |
| CAS 号 | 12063-98-8 |
| 线性分子式 | GaP |
| 经验分子式 | GaP |
| 分子量 | 100.70 |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 12352300 |
| EC 号 | 235-057-2 |
| MDL 号 | MFCD00016109 |
| InChI key | 哈萨克斯坦共和国-乌兹别克斯坦 |
| InChI | 1S/Ga. P（单级/高级） |
| SMILES字符串 | [P]#[Ga] |
| 形态 | （单晶基板） |
| 电阻率 | 约0.3 Ω-cm |
| 直径×厚度 | 2英寸× 0.5毫米 |
| 熔点 | 1480 °C |
| 密度 | 4.13 g/mL（25 ℃时） |
| 质量等级 | 100 |
| 包装规格（货号 651494-1EA） | 1 ea |
