| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 481769-10G | 10 g | |
| 481769-50G | 50 g |
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氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，可用于各种电子器件的开发，如发光二极管（LED）和场效应晶体管（FET）。它还可用作基于自旋电子学应用的过渡金属掺杂剂。
| 英文名称 | Gallium nitride |
| CAS 号 | 25617-97-4 |
| 线性分子式 | GaN |
| 经验分子式 | GaN |
| 分子量 | 83.73 |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 12352300 |
| EC 号 | 247-129-0 |
| MDL 号 | MFCD00016108 |
| InChI key | JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N |
| InChI | 1S/Ga. N |
| SMILES字符串 | N#[Ga] |
| 含量测定 | 99.9%痕量金属基础 |
| 形态 | 粉末 |
| 质量等级 | 100 |
| 成分 | GaN |
| 反应适用性 | 核心：镓 |
| 绿色替代产品特性 | 节能设计 了解绿色化学原理。 |
| 可持续性 | 更环保的替代产品 |
| 熔点 | 800 ° C（亮） |
| 应用 | 半导体合成 |
| 更环保的替代类别 | 促成性 |
| 包装规格（货号 481769-10G） | 10 g |
| 包装规格（货号 481769-50G） | 50 g |
