



| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 496863-5G | 5 g |
基材原子数:73 钽
氮化钽 (TaN) 薄膜的挥发性固体 CVD 前体。当在沉积过程中存在 O2、H2O、NO 或 H2O2 时,还会形成氧化钽 (Ta2O5) 薄膜。 Ta2O5 薄膜作为集成电路制造中的栅电介质材料具有广阔的应用前景。
| 英文名称 | Pentakis(dimethylamino)tantalum(V) |
| CAS 号 | 19824-59-0 |
| 线性分子式 | Ta(N(CH3)2)5 |
| 经验分子式 | C10H30N5Ta |
| 分子量 | 401.33 |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 12352103 |
| MDL 号 | MFCD01631286 |
| InChI | 1S/5C2H6N.Ta/c5*1-3-2;/h5*1-2H3;/q5*-1;+5 |
| SMILES字符串 | CN(C)[Ta](N(C)C)(N(C)C)(N(C)C)N(C)C |
| InChI key | VSLPMIMVDUOYFW-UHFFFAOYSA-N |
| 含量测定 | 99.99% |
| 质量等级 | 100 |
| 反应适用性 | 核心:钽;试剂类型:催化剂 |
| 熔点 | 100 ° C(dec.)(lit.) |
| 包装规格(货号 496863-5G) | 5 g |