| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 393541-5G | 5 g | |
| 393541-25G | 25 g |
乙酰丙酮镓（III）是一种白色至灰白色结晶固体，纯度为（99.99%痕量金属基准）广泛用作薄膜和纳米材料的前体。它可溶于有机溶剂，如乙醇、丙酮和甲苯，使其适合于基于溶液的纳米颗粒合成。它的热稳定性，分解发生在~200 ° C以上，允许控制镓释放。它通常用于金属有机化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD），以制备电子和光电应用所必需的氧化镓（Ga O）和氮化镓（GaN）薄膜。
乙酰丙酮镓(III)可用于
作为前驱体经由溶剂热法合成纳米晶体氧化镓尖晶石，用于光催化、电池正极材料和电催化等多种应用。原位电还原制造Li金属负极上的LiGa合金层。它抑制锂硫电池负极枝晶形成。热溶剂合成法(hot-solvent synthesis)制备高效的镓-铂(GaPt3)纳米粒，用作析氢反应的电催化剂。合成γ-Ga2O3纳米晶体，用于制造钙钛矿太阳能电池的电子传输层。它与钙钛矿顶层形成有效的界面连接，提高电荷传输效率。
高纯度（99.99%痕量金属）确保了没有杂质干扰合成过程，从而提高了镓化合物的收率和质量。高纯度提高了催化活性和选择性，减少了副产物的形成，提高了整体反应效率。不含痕量金属杂质确保了薄膜的完整性和性能。从而提高了器件效率和光电器件的寿命。前体的高纯度使半导体材料中的缺陷和杂质最小化，提高了它们的电性能和性能。
| 英文名称 | Gallium(III) acetylacetonate |
| CAS 号 | 14405-43-7 |
| 线性分子式 | （CH3COCH=C（O-）CH3）3Ga |
| 经验分子式 | C15H21GaO6 |
| 分子量 | 367.05 |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 12352103 |
| EC 号 | 238-377-0 |
| MDL 号 | MFCD00013492 |
| InChI key | 兹维亚伊吉约德-伦蒂努赫察-K |
| InChI | 1S/3C5H8O2.Ga/c3*1-4（6）3-5（2）7;/h3*3，6H，1-2H3;/q;+3/p-3/b3*4-3-; |
| SMILES字符串 | CC(=O)\C=C(\C)O[Ga](O\C(C)=C/C(C)=O)O\C(C)=C/C(C)=O |
| 含量测定 | 99.99%痕量金属 |
| 形态 | 固体 |
| 反应适用性 | 核心：镓;试剂类型：催化剂 |
| 熔点 | 196 - 198 ° C（十进制）（文献值） |
| 质量等级 | 100 |
| 包装规格（货号 393541-5G） | 5 g |
| 包装规格（货号 393541-25G） | 25 g |
