| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| FIPMS223-1PAK | 1 pkg |
基材：符合半导体标准的150 mm晶圆（用于底栅）层结构：栅极：n型掺杂硅（晶片表面掺杂：n~ 3x 1017/ cm 3）栅氧化层：90 nm ± 10 nm二氧化硅（热氧化）漏极/源极：具有10 nm高功函数粘附层（ITO）的30 nm Au，通过剥离技术保护：抗AR PC 5000/3.1（溶于AZ-稀释剂或丙酮）布局：见图测试芯片尺寸：15 x 15 mm 2芯片数量：60个/晶圆接触焊盘：0.5 x 0.5 mm 2晶体管数量：每个芯片16个4 x晶体管L= 2.5 μm W= 10 mm 4 x晶体管L= 5 μm W= 10 mm 4 x晶体管L= 10 μm W= 10 mm 4 x晶体管L= 20 μm W= 10 mm
背栅OFET叉指型衬底（有机场效应晶体管）可以用于制造化学传感器，用于pH传感和免疫测定检测。它也可以用于制造生物传感器，通过用用于检测SARS-CoV-2的特异性抗体涂覆FET的片。基于FET的生物传感器可以潜在地用于临床诊断，床旁检测，和现场检测。
具有气密包装的薄片上切割的晶片
抗蚀剂去除建议：为了保证晶圆/芯片表面完全清洁，请用丙酮冲洗，然后立即用氮气干燥材料（压缩空气）。材料表征建议：如果在场效应晶体管的表征期间出现栅极电流，在提取载流子迁移率时可能会发生相当大的变化。因此，有必要检查OFET-衬底的反面（在芯片边缘上）。
将晶圆储存在阴凉避光的地方，并防止阳光照射。涂上抗蚀剂层以防止划痕造成的损坏。最后期限是仅用于抗蚀剂去除的建议期限。在抗蚀剂去除后，基板仍保持功能，不会过期。
| 英文名称 | Back-gated OFET Interdigitated Substrate |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 43211915 |
| 形态 | 切片（切成丁） |
| 包装 | 1件装（60片切片的晶片） |
| 储存温度 | 15-25°C |
| 包装规格（货号 FIPMS223-1PAK） | 1 pkg |
