| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| GRTRANSFER10-1EA | 1 ea |
将1cm × 1cm CVD生长的单层CVD石墨烯（通过拉曼2D/G比验证）夹在牺牲层和水可释放聚合物支撑膜之间。易转移石墨烯的结构：顶部牺牲层（正方形），中间的CVD单层石墨烯，和底部水可释放聚合物支撑层（圆形）
该产品采用专门设计的机制，可以轻松清洁地转移高质量单层CVD生长的石墨烯，以构建最先进的电子器件，例如：石墨烯基最先进的FET石墨烯基传感器基于异质结构的微/纳米电子清洁转移可以通过以下3个简单的步骤完成：释放将样品缓慢置于去离子（DI）水中，圆形（聚合物层）面朝下，正方形的牺牲层+石墨烯将逐渐从圆形的聚合物膜上分离。一旦牺牲层/石墨烯浮起，移除圆形的聚合物膜。转移将所需的基底放入同一个去离子水容器中，同时牺牲层/石墨烯石墨烯是浮置的。将衬底翻转45 °，使其从下面与牺牲层/石墨烯接触。将牺牲层/石墨烯/衬底取出，并在空气中干燥30分钟。然后将样品在150摄氏度的热板上退火1小时。最后，在去除牺牲层之前，将其在真空下储存至少24小时，以避免石墨烯从衬底上脱落。牺牲层去除为了去除牺牲层，可以使用两种方法：溶剂：将牺牲层/石墨烯/衬底在丙酮中浸泡1小时，然后再在异丙醇中浸泡1小时，并用N2吹样品干燥。热处理：将牺牲层/石墨烯/基底放入烘箱中，并在惰性气氛中在450 ℃下加热样品2小时。
| 英文名称 | Easy transfer monolayer Graphene |
| UNSPSC | 12141908 |
| NACRES | NA.23 |
| 特征 | 平均层数1 |
| 增长方式 | CVD |
| 薄层电阻 | 450 +/- 40 Ω/sq，SiO2/Si（1cm x 1cm） |
| L × W | 1 cm × 1 cm |
| 表面覆盖率 | （覆盖率）>98% |
| 颜色 | 透明>97% |
| 晶粒尺寸 | ≤20 μm |
| 包装规格（货号 GRTRANSFER10-1EA） | 1 ea |
