| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| GRFETS10-1EA | 1 ea |
石墨烯场效应晶体管芯片（GFET-S10芯片）是一种基于石墨烯的场效应晶体管芯片，其对称跨导为8 μS，工作电流密度为105 A/cm 2，采用化学气相沉积法（CVD）在硅衬底上沉积单层石墨烯，并在源漏区采用类似的栅绝缘层。
设备配置：该Graphene FET芯片提供了36个石墨烯器件，以栅格图案分布在芯片上。30个器件具有霍尔条形几何结构，6个器件具有2个探针几何结构。霍尔条形器件可用于霍尔测量以及4个探针和2个探针测量。具有不同尺寸的石墨烯通道，可系统研究器件特性。
GFET-S10芯片可作为生物传感器和化学传感器应用于生物学领域。
石墨烯器件研究基于场效应晶体管的传感器研究，用于在石墨烯上沉积活性材料化学传感器生物传感器生物电子学磁传感器光电探测器
器械特点：采用一致的高质量CVD生长单层石墨烯的最新石墨烯FET器件未封装，可通过添加剂进行功能化传感器研发的完美平台每个芯片36个独立石墨烯FET迁移率通常> 1000 cm 2/V·s
| 英文名称 | Graphene FET chip |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 43211915 |
| 描述 | 狄拉克点：<50V;栅极氧化物材料：二氧化矽;栅极氧化层厚度：90纳米;石墨烯场效应迁移率：> 1000 cm2/V·s;最大栅-源电压：± 50 V;最大额定温度：150 ° C;最大漏-源电流密度：107 A/cm2;金属化：铬2 nm/金50 nm;单层CVD生长的基于石墨烯的场效应晶体管（FET）S10;剩余载流子密度：12 cm-2;衬底电阻率：1 - 10 Ω·cm;成品率> 75% |
| 包装规格（货号 GRFETS10-1EA） | 1 ea |
