| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| FIPMS176-1PAK | 1 pkg |
基质：符合半导体标准的200 mm晶圆（用于底栅）层结构：Gate：n-doped silicon（晶片表面掺杂：n~ 3 × 1017/ cm 3）栅氧化层：230 nm ± 10 nm SiO2（热氧化）漏极/源极：无保护：抗AR PC 5000/3.1（可溶于AZ稀释剂或丙酮）布局：裸氧化物但切割芯片尺寸：15 x 15 mm 2芯片数量：每个晶圆112个
背栅OFET衬底（有机场效应晶体管）可用于化学传感器的制备，用于pH传感和免疫检测，也可用于生物传感器的制备，通过在FET片上涂上特异性抗体来检测SARS-CoV-2。基于FET的生物传感器可用于临床诊断、床旁检测和现场检测。
对于有机半导体领域的材料科学家来说，具有用于材料分析的标准化器件架构是至关重要的。这些背栅有机场效应晶体管（OFET）衬底在洁净室内制造，并且源极和漏极可以在有机半导体材料沉积之前或之后沉积，提供选择源极/漏极材料的多功能性并满足不同的优选器件结构。当有机半导体层沉积在这样的衬底上时，体硅用作栅电极，并控制顶部上后沉积的源电极和漏电极之间的沟道电流。CMOS质量的适当掺杂的Si-SiO2界面保证了可再现的栅极接触。
具有气密包装的薄片上切割的晶片
抗蚀剂去除建议：为了保证晶圆/芯片表面完全清洁，请用丙酮冲洗，然后立即用氮气干燥材料（压缩空气）。材料表征建议：如果在场效应晶体管的表征期间出现栅极电流，在提取载流子迁移率时可能会发生相当大的变化。因此，有必要检查OFET-衬底的反面（在芯片边缘上）。
将晶圆储存在阴凉避光的地方，并防止阳光照射。涂上抗蚀剂层以防止划痕造成的损坏。最后期限是仅用于抗蚀剂去除的建议期限。在抗蚀剂去除后，基板仍保持功能，不会过期。
| 英文名称 | Back-gated OFET Substrate |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 43211915 |
| 形态 | 切屑（直径200 mm）;切屑（切块） |
| 包装 | 1件装（112片切片的晶片） |
| 包装规格（货号 FIPMS176-1PAK） | 1 pkg |
![Sigma-Aldrich 双萘并 [2,3-b:2′,3′-f] 噻吩并 [3,2-b] 噻吩，升华等级，99%](/img/sigma/219234-1.webp)
