| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 920134-1EA | 1 ea |
在6英寸硅片上的卷对卷、高质量、单层CVD石墨烯，具有大晶粒尺寸（~110μm^2）。
我们的卷对卷CVD石墨烯产品是真正的单层高品质石墨烯，在洁净室内制造，严格监控和QC，以确保高重现性。卷对卷工艺允许连续，大规模石墨烯生产PMID 30277604。这种硅晶片上的大粒度石墨烯产品随时可用，帮助您最大限度地缩短工艺时间，这种具有低薄层电阻的产品将实现无与伦比的再现性，并为基于CVD石墨烯的FET PMID 31114067、基于CVD石墨烯的传感器和基于异质结构的微/纳米电子器件PMID 29182852提供高性能。超快晶体管光学器件生物/气体传感器透明电极柔性显示器智能涂层热管理
避免阳光直射，避免高温，避免高湿度，避免灰尘。
| 英文名称 | R2R Monolayer large grain CVD graphene on silicon wafer |
| CAS 号 | 1034343-98-0 |
| 经验分子式 | C |
| 分子量 | 12.01 |
| MDL 号 | MFCD00146977 |
| UNSPSC | 12141908 |
| NACRES | NA.23 |
| SMILES字符串 | NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC |
| InChI | 1S/9CH5N/c9*1-2/h9*2H2，1H3 |
| InChI key | DXIFQVRACSPGSU-UHFFFAOYSA-N |
| 描述 | 生长方式：卷对卷CVD晶圆：SiO2（300 nm）Si层数：单层拉曼强度2D/G：≥ 1. 5 |
| 特征 | 平均层数1 |
| 薄层电阻 | 280 Ω/sq ± 10% |
| 尺寸 | 110 μm × 110 μm ± 10%，粒度 |
| 表面覆盖率 | 表面覆盖率> 98% |
| 透射率 | >97% |
| 半导体性质 | （迁移率> 3000 cm2/V·s）（霍尔效应测量） |
| 质量等级 | 100 |
| 包装规格（货号 920134-1EA） | 1 ea |
