| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 379816-1G | 1 g |
99.99%痕量金属
用于合成含半导体金属的聚合物，其中聚吡咯骨架的构象能量最小并且几乎是平面结构。
用于合成半导电的含金属聚合物，在聚合物中聚吡咯主链具有最低的构象能，并且几乎成平面。与双二硫醇盐反应生成金属-双二硫醇盐，可用于激光器 Q 开关材料、光盘记录介质、条形码材料和超导体。
| 英文名称 | Potassium tetrachloropalladate(II) |
| CAS 号 | 10025-98-6 |
| 线性分子式 | K2PdCl4 |
| 经验分子式 | Cl4K2Pd |
| 分子量 | 326.43 |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 12352302 |
| EC 号 | 233-049-3 |
| MDL 号 | MFCD00011373 |
| InChI key | LGCKLDWLSVFMGL-UHFFFAOYSA-J |
| InChI | 1S/4ClH.2K.Pd/h4 * 1H;/q; 2 *+1;+2/p-4 |
| SMILES字符串 | [K+].[K+].Cl[Pd--](Cl)(Cl)Cl |
| 阳离子痕量 | 如：≤75.6 ppm;巴：≤0.1 ppm;卡：≤1.2 ppm;代码：≤0.2 ppm;菲：≤0.3 ppm;李：≤1.4 ppm;镁：≤ 0.1ppm;莫：≤1.8 ppm;倪：≤0.7 ppm;锡：≤11.8 ppm;高级：≤0.1 ppm;钛：≤0.1 ppm;锌：≤0.3 ppm |
| 应用 | 电镀材料合成前驱体 |
| 质量等级 | 100 |
| 等级 | 综合品位 |
| 含量测定 | 99.99%痕量金属 |
| 形态 | 固体 |
| 反应适用性 | 内核：钾 |
| 杂质 | ≤150.0 ppm痕量金属分析 |
| 熔点 | 105 °C（dec.）（lit.） |
| 密度 | 2.67 g/mL，25 ℃（文献值） |
| 阴离子痕迹 | （硼（B）≤ 0.6 ppm） |
| 包装规格（货号 379816-1G） | 1 g |
