



| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| 632317-5G | 5 g | |
| 632317-25G | 25 g |
氧化铟 (III) 是一种用途广泛的化合物,在电子、光学和材料科学中具有重要应用。由于其导电性和光学透明度,它广泛用于合成透明导电氧化物 (TCO),特别是用于平板显示器和太阳能电池。在半导体技术中,它用于制造氧化铟锡 (ITO),可增强电子设备的性能,并且对各种气体敏感,因此适用于气体传感应用,尤其是在检测危险气体。
胺基修饰表面受阻路易斯对用于CO2光催化:用含有胺基修饰表面受阻路易斯对的氧化铟氢氧化物,增强CO2还原的光催化性能(Q Guan et al., 2024)。光激发增强气体传感能力:研究通过400 nm紫外光激发法提高金属氧化物(包括氧化铟)半导体化学电阻的气体传感性能(S Paul et al., 2024)。铟(III)络合物的工业应用和纳米颗粒合成:综述三价铟络合物作为催化剂和前体在各种工业中的应用,以及氧化铟等纳米颗粒的合成(TO Ajiboye et al., 2024)。Ag/In2O3反蛋白石合成:详述银/氧化铟反蛋白石结构的合成和前景,它们因为光学特性具有半导体应用潜力(AV Lyutova et al., 2024)。光催化生成羟基自由基和锰物种:研究用氧化铟增强高锰酸盐的光催化性能,以在可见光下高效去除微污染物(J Li et al., 2024)
| 英文名称 | Indium(III) oxide |
| CAS 号 | 1312-43-2 |
| 经验分子式 | In2O3 |
| 分子量 | 277.63 |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 12352302 |
| EC 号 | 215-193-9 |
| MDL 号 | MFCD00011060 |
| InChI key | SHTGRZNPWBITMM-UHFFFAOYSA-N |
| InChI | 1S/2In.3O |
| SMILES字符串 | O=[In]O[In]=O |
| 蒸气压 | <0.01毫米汞柱(25摄氏度) |
| 含量测定 | 99.9%痕量金属基础 |
| 形态 | 纳米粉末 |
| 质量等级 | 100 |
| 成分 | 在美国, |
| 反应适用性 | 试剂类型:催化剂核心:铟 |
| 颗粒大小 | <100 nm(TEM) |
| 密度 | 7.18 g/mL,25 ℃(文献值) |
| 包装规格(货号 632317-5G) | 5 g |
| 包装规格(货号 632317-25G) | 25 g |