| 货号 | 包装规格 | 操作 |
|---|---|---|
| GRFETS20-1EA | 1 ea |
石墨烯场效应晶体管芯片（GFET-S20芯片）是一种基于石墨烯的场效应晶体管，它可以通过大气压化学气相沉积（CVD）方法涂覆在硅衬底上，并且在源极和漏极具有类似的栅极绝缘体。
设备配置：石墨烯FET-S20芯片设计用于液体介质中的测量。该芯片提供12个石墨烯器件，在金属焊盘上进行封装以避免退化并减少漏电流，探针焊盘位于芯片外围附近。它还包括位于芯片中心的未封装电极，无需外部栅电极即可实现液体选通。
GFET-S20芯片可作为生物传感器和化学传感器应用于生物学领域。
生物电子学PMID 29984525 FET型传感器用于石墨烯上活性材料沉积的研究临床应用生物传感器PMID 28299688
器械特点：采用始终如一的高质量CVD单层石墨烯的最先进的GFETs金属触点和金属/石墨烯界面经过封装，可避免在液体环境中发生退化并降低漏电流用于新传感器研发的完美平台器件每个芯片12个独立的GFETs中央栅电极
| 英文名称 | Graphene FET chip |
| NACRES | NA.23 |
| UNSPSC | 43211915 |
| 描述 | 绝对最大额定值最大栅源电压：± 50 V最大额定温度：150 ° C最大漏源电流密度：107 A/cm2芯片尺寸：10 mm x 10 mm芯片厚度：675 μ m狄拉克点：75%封装：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4栅极氧化物材料：90 nm SiO2石墨烯场效应迁移率：> 1000 cm2/V·s;单层CVD生长的石墨烯基双探针场效应晶体管（FET）;每个芯片的器件数量：12;衬底电阻率：1 - 10 Ω·cm金属化 |
| 包装规格（货号 GRFETS20-1EA） | 1 ea |
