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Sigma-Aldrich 三仲丁氧基铝,≥99.9% 微量金属基准

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Sigma-Aldrich 三仲丁氧基铝,≥99.9% 微量金属基准

Sigma-Aldrich Aluminum-tri-sec-butoxide,≥99.9% trace metals basis
SIGMA-ALDRICH授权代理沉积前驱体
CAS 号 2269-22-9品牌 Sigma-Aldrich类目 实验室试剂 / 沉积前驱体更新日期 2026-10-26

规格与货号

货号包装规格操作
946974-250G250 g
946974-1KG1 kg

产品概述

三仲丁醇铝是一种非自燃溶胶-凝胶前驱体,外观为无色液体,对湿度高度敏感,易水解为氧化铝衍生物。我们的≥99.9%微量金属基础等级确保了用于精确沉积的超低杂质,适用于通过原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)沿着溶胶-凝胶前驱体合成Al 2 O 3。

应用领域

三仲丁醇铝或ATSB可用作通过原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)合成Al 2 O 3薄膜的合适Al前体。采用低压化学气相沉积(CVD)技术,沿着用四氯化钛(TiCl 4)在不同的CO2和H2气体流量下,在硅基片上制备了Al 2 O3-TiO 2薄膜(ATSB/TiCl 4 /CO2/H2系统)。我们的三仲丁醇铝(ATSB)具有≥99.9%的微量金属纯度,由于其卓越的纯度和稳定的性能,是先进薄膜应用的极有价值的前体。其低杂质水平确保最小的污染,这对于通过原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)制备均匀和高质量的Al 2 O3薄膜至关重要。这种高纯度有助于增强薄膜性能,如改善的介电强度,化学稳定性,和均匀的厚度,半导体和微电子工业的关键因素。

产品特点

已用于制备高表面积氧化铝,其中以 2,4-戊二酮(Aldrich 产品 P775-4)作为螯合剂。

技术规格

英文名称Aluminum-tri-sec-butoxide
CAS 号2269-22-9
线性分子式Al[OCH(CH3)C2H5]3
经验分子式C12H27AlO3
分子量246.32
UNSPSC12352103
MDL 号MFCD00009327
InChI keyWOZZOSDBXABUFO-UHFFFAOYSA-N
SMILES字符串CCC(C)O[Al](OC(C)CC)OC(C)CC
InChI1S/3C4H9O. Al/c3 * 1 - 3 - 4(2)5;/h3 * 4H,3H2,1 - 2H3;/q3 *-1;+3
含量测定Al(%,EDTA滴定); ≥99.9%痕量金属(ICP-MASS/ICP-OES); ≥99.9%痕量金属(%)
形态液体
自燃温度。763 °F
检测限9.8 %
杂质<1000 ppm 杂质(金属基准)
沸点200-206 °C/30 mmHg(点燃)
熔点 200-206 °C
密度0.967 g/mL,25 °C(lit.); 0.967 g/cm3
应用半导体半导体
质量等级200
包装规格(货号 946974-250G)—
包装规格(货号 946974-1KG)—

常见问题

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